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論文

Formation of ultra-thin SiO$$_{2}$$ layer on Si(100) by thermal decomposition of silicon alkoxide

馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Photon Factory Activity Report, (14), P. 423, 1996/00

Si(100)単結晶表面にSiO$$_{2}$$の超薄膜を生成させる新しい方法を提案するとともに、SiO$$_{2}$$層の化学結合状態と膜厚を放射光光電子分光法により測定した。方法は以下の通りである。(1)Si(100)を真空中で80Kに冷却する。(2)テトラメトキシシランを300層吸着させる。(3)Si(100)基板を0.5$$^{circ}$$C/secの速度で400Kまで加熱する。この方法で得られた酸化層の化学状態はSiO$$_{2}$$であること、SiO$$_{2}$$層の膜厚は0.3nmであることを明らかにした。

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